| 主权项 |
1.一种包括半导体装置之物件,该装置包含氧化物层在半导体本体之一个主表面上;其特征在于该半导体本体为GaN本体,该氧化物层为镓钆氧化物层,且该主表面具有一该(0001)取向之5之取向。2.如申请专利范围第1项之物件,其中该半导体装置为场效电晶体,且该镓钆氧化物层为配置于该主表面与一金属接触层间之闸极氧化物层。3.如申请专利范围第1项之物件,其中该镓钆氧化物系经选择,以致使该半导体装置在第一极性之外加电压下呈现电荷耗竭,以及在第二极性之外加电压下呈现电荷累积。4.如申请专利范围第3项之物件,其中该镓钆氧化物系进一步经选择,以致使该装置在施加正负4V的电压越过该镓钆氧化物层时,于20℃下呈现至多0.1nA之漏电流。5.一种制造包括半导体装置之物件之方法,该装置包含氧化物层在半导体本体之一个主表面上;其特征在于a)该半导体本体为GaN本体;及b)该方法包括经由使该主表面暴露于来自Ga5Gd3O12蒸发源之蒸发物,而在该GaN本体之主表面上形成该氧化物层。6.如申请专利范围第5项之方法,其进一步包括制备该主表面,以致在形成该氧化物层之前,该主表面之至少一部份系为基本上原子式纯净及基本上原子式规则排列。7.如申请专利范围第6项之方法,其包括使该半导体本体于10-8托或较低之真空中,维持于530-630℃之温度下,为时1-60分钟范围。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该Ga5Gd3O12蒸发源包括单晶Ga5Gd3O12。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该半导体本体在该氧化物层形成期间,系维持在于400-600℃范围内之温度下。图式简单说明:第一图显示如本发明的一MOS结构;第二图及第三图显示知本发明之供一MOS结构实例的电气数据;第四图显示如本发明之一装置实例,又称为一GaN基础MOSFET;及第五图及第六图显示供两种基质温度的氧化物组成。 |
