| 主权项 |
1.一种金氧半导体元件的制造方法,适用于一基底上,该方法包括下列步骤:依序在该基底上形成一闸介电层、一导体层与图案化之一罩幕层;以该罩幕层为罩幕倾斜地蚀刻该导体层,而使保留之该导体层成为一闸极与该闸极侧壁之一间隙壁,并将部分之该闸介电层暴露出来,其中该闸极系位于该罩幕层的正下方;以该罩幕层与该间隙壁为罩幕进行离子植入,而在该间隙壁两侧之该基底中形成一源极区与一汲极区;进行一回火步骤,以修复该源极/汲极区之晶格结构;以该罩幕层为罩幕,蚀刻除去该间隙壁;以及在该闸极两侧之该基底中形成一淡掺杂汲极(LDD),即完成一金氧半导体元件。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该源极区系为一共源极区,该共源极区系由该金氧半导体元件与另一金氧半导体元件所共用,且系形成于该间隙壁与「该另一金氧半导体元件之该间隙壁」之间的该基底中。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中更包括在该淡掺杂汲极形成之后,进行下列步骤:完全除去该罩幕层;以及于该基底上覆盖一层间介电层,该层间介电层系填满该闸极与另一闸极之间的空隙。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该层间介电层包括一氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该罩幕层系为一氧化矽硬罩幕层。6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该氧化矽硬罩幕层之厚度大于400。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中倾斜地蚀刻该导体层以形成该闸极与该间隙壁的方法,包括使用一蚀刻气体来蚀刻该导体层,该蚀刻气体会在蚀刻时于该导体层暴露出之侧壁形成一聚合物薄膜,以作为一蚀刻阻挡层。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中蚀去该间隙壁时所使用之蚀刻气体包括溴化氢。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该闸介电层包括一闸氧化层。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该闸氧化层之厚度小于32。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该导体层包括一多晶矽层。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该多晶矽层之厚度小于2000。13.一种金氧半导体元件的制造方法,适用于一基底上,该方法包括下列步骤:依序在该基底上形成一闸介电层、一导体层与图案化之一罩幕层,该罩幕层中具有相邻之二闸极罩幕图形;以该罩幕层为罩幕倾斜地蚀刻该导体层,而使保留之该导体层成为二闸极与该二闸极侧壁之二间隙壁,并将部分之该闸介电层暴露出来,其中该二闸极系位于该闸极罩幕图形的正下方;以该罩幕层与该二间隙壁为罩幕进行离子植入,而在该二间隙壁之间的该基底中形成一共源极区,同时在该二间隙壁外侧的该基底中形成二汲极区;进行一回火步骤,以修复该共源极区与该二汲极区之晶格结构;以该罩幕层为罩幕,蚀刻除去该二间隙壁;以及在该二闸极之间与该二闸极外侧的该基底中形成复数个淡掺杂汲极(LDD),即完成二金氧半导体元件。14.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中更包括在该些淡掺杂汲极形成之后,进行下列步骤:完全除去该罩幕层;以及于该基底上覆盖一层间介电层,该层间介电层系填满该二闸极之间的空隙。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该层间介电层包括一氧化矽层。16.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中该罩幕层系为一氧化矽硬罩幕层。17.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中倾斜地蚀刻该导体层以形成该二闸极与该二间隙壁的方法,包括使用一蚀刻气体来蚀刻该导体层,该蚀刻气体会在蚀刻时于该导体层的侧壁形成一聚合物薄膜,以作为一蚀刻阻挡层。18.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中蚀去该二间隙壁时所使用之蚀刻气体包括溴化氢。19.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中该闸介电层包括一闸氧化层。20.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中该导体层包括一多晶矽层。图式简单说明:第一图A-第一图E所绘示为本发明较佳实施例之金氧半导体元件的制造方法。 |
