| 主权项 |
1.一种CVD装置,系于设置有基板之反应室(112)内供给半导体材料气体,并于上述基板上形成半导体膜者,其特征为:于上述反应室(112)连接有供给上述半导体材料气体之材料气体供给通路(121),供给吹洗用之惰性气体之惰性气体供给通路(122),及供给混合于吹洗气体之氢气、氦气等之高导热系数气体之高导热系数气体供给通路(123);并且设有用以测量自反应室(112)排出之气体中之水分量之水分计(141),及用以将反应室内部作真空排气之真空泵浦(142)。2.一种CVD装置之吹洗方法,系于设置有基板之反应室(112)内供给半导体材料气体,并于上述基板上形成半导体膜之CVD装置之吹洗方法,其特征为:使用氢气、氦气等之高导热系数气体与惰性气体之混合气体作为加热流通吹洗处理时所使用之吹洗气体。3.一种CVD装置之吹洗方法,系于设置有基板之反应室(112)内供给半导体材料气体,并于上述基板上形成半导体膜之CVD装置之吹洗方法,其特征为:在反应室内设置基板之后,半导体膜形成之前,复数次反覆进行反应室(112)内部之抽真空以及惰性气体之导入。4.一种半导体制造装置之维修时期判断方法,系于反应室(1)内进行腐蚀性气体处理之半导体制造装置之维修时期判断方法,其特征为:于进行上述腐蚀性气体处理之际,以连接于上述反应室(1)之水分计(5)测量反应室(1)内之水分浓度,并依据反覆进行腐蚀性气体处理后之上述水分浓度之变化,而决定上述维修时期。5.如申请专利范围第4项之半导体制造装置之维修时期判断方法,其中,系根据上述水分浓度之变化,计算出从上次维修以来带入上述反应室(1)内之水分之累计量,并依据该累计量决定上述维修时期。6.如申请专利范围第5项之半导体制造装置之维修时期判断方法,其中,系在进行上述腐蚀性气体处理之际,以连接于上述反应室(1)之压力计(7)测量反应室(1)内之压力,并依据反覆进行腐蚀性气体处理后之上述压力之变化,及上述水分之累计量,以决定上述维修时期。7.如申请专利范围第4项之半导体制造装置之维修时期判断方法,其中,上述水分计(5)系将雷射光射入连接于上述反应室(1)之管状小池主体(19)内部,并测量透过后之雷射光之吸收光谱之雷射水分计。8.一种水分监控装置(25),系具备一端连接于供腐蚀性气体流通之反应室(1)之配管(9),及连接于该配管(9)之另一端而将从上述反应室(1)导入之腐蚀性气体所含之水分加以测量之水分计(10)者,其特征为:具备有至少将上述配管(9)加热之配管加热机构(20)。9.如申请专利范围第8项之水分监控装置(25),其中,上述配管加热机构(20)具备有卷绕于上述配管(9)之外围之电热线。10.如申请专利范围第8项之水分监控装置(25),其中,上述水分计(10)系将雷射光射入连接于上述配管(9)之另一端之管状小池主体(19)内部,并测量透过后之雷射光之吸收光谱之雷射水分计。11.如申请专利范围第10项之水分监控装置(25),其中,上述水分计(10)具备有将上述管状小池主体(19)加热之小池加热机构(22)。12.如申请专利范围第8项之水分监控装置(25),其中,上述水分计(10)系依据经加热之上述腐蚀性气体之温度而调整测量敏感度者。13.一种半导体制造装置,系于反应室(1)内之基板上流通腐蚀性气体,并使腐蚀性气体于基板表面反应者,其特征为:具备有申请专利范围第8项之水分监控装置(25)。14.如申请专利范围第13项之半导体制造装置,其中,具备经由密闭空间将上述基板搬运于上述反应室(1)之基板搬运系统,而该基板搬运系统具备有上述水分计(10)以外之用以测量上述密闭空间内之水分之水分计(6)。图式简单说明:第一图系本发明之CVD装置之一形态的系统图。第二图系仅只使用氮气之烤焙吹洗进行中水分子排出量之时效变化图。第三图系使用氮气氢气混合气体之烤焙吹洗进行中水分子排出量之时效变化图。第四图系批式吹洗之次数与排气气体中水分子量之时效变化之关系图。第五图系有关本发明之半导体制造装置之维修时期判断方法之一实施形态中之磊晶结晶成长装置之大略全体俯视图。第六图系有关本发明之半导体制造装置之维修时期判断方法之一实施形态中之制程用水分计之构造剖视图。第七图系有关本发明之半导体制造装置之维修时期判断方法之一实施形态中之于反覆进行成膜处理之际所测得之水分浓度变化图。第八图系有关本发明之水分监控装置以及具备该水分监控装置之半导体制造装置之一实施形态中之磊晶结晶成长装置之大略全体俯视图。第九图系有关本发明之水分监控装置以及具备该水分监控装置之半导体制造装置之一实施形态中之水分监控装置之构造及配管图。第十图系有关本发明之水分监控装置以及具备该水分监控装置之半导体制造装置之一实施形态中之雷射水分计之构造剖视图。 |
