发明名称 半导体晶圆处理系统之支撑表面的回复方法及设备
摘要 一种回复静电夹头支撑表面至处理前情形的方法及设备。其方法包含数个步骤,提供已退化之支撑表面一替代基板,提供一接地连结之替代基板及提供一介于支撑表面及替代基板之间的电场以去除支撑表面的累积电荷。其设备包含一个制程反应室,其含有支撑表面上接地的替代基板。替代基板是一组半导体晶圆或一平板或一片之金属材料。接地连结是藉由冲击电浆建立的,其电浆连接替代基板于一电子接地基准。产生于支撑表面及替代基板间的电场将支撑表面上的任一累积电荷推离。移除累积电荷会改善并延长支撑表面之夹持能力。此方法亦维持支撑表面材料的完整,让它免于电浆中高能及/或具反应性物质的攻击。
申请公布号 TW460910 申请公布日期 2001.10.21
申请号 TW089106839 申请日期 2000.04.12
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 吉伯特奥斯曼
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种回复基板支撑之支撑表面的方法,其至少包含以下步骤:(a)提供一支撑表面上之替代基板;(b)连接该替代基板于接地端;以及(c)于该支撑表面及该替代基板间形成一力量以移除该支撑表面之累积电荷。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之替代基板选自一半导体晶圆、一金属材料平板及一片金属材料所组成之群集。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述连接该替代基板至接地端的步骤更包含冲击电浆以连接该替代基板与电子接地基准。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述连接该替代基板至接地端的步骤更包含附着一导线连接该替代基板与电子接地基准。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述于该支撑表面及该替代基板间形成一力量更包含增加一连接于该替代基板的电力源,以产生一介于该支撑表面及该替代基板间的电场。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之电力源可传递一范围约2-5KVDC的电压。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之电压可于一特定时段传递。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之特定时段大约3分钟。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之电压是脉波。10.一种移除反应室内静夹头支撑表面之累积电荷的方法,其至少包含以下步骤:(a)提供含有累积电荷的支撑表面;(b)放置一替代基板于该支撑表面上;(c)连接该替代基板于接地端;(d)于该支撑表面与该替代基板间形成一电场将该累积电荷自该支撑表面移除。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之替代基板是由一半导体晶圆、一金属材料平极及一片金属材料所组成之群集。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述连接替代基板于接地端更包含冲击连接该替代基板及反应室接地元件之电浆。13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述连接替代基板于接地端更包含接附一导线于该替代基板及反应室接地元件。14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述于该支撑表面与该静电夹头间形成一电场的步骤更包含将连接于该静电夹头之电源加能。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之电源可传递一范围约2-5KVDC的电压。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之电压可于一特定时段传递。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之特定时段大约3分钟。18.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之电压是脉波。19.一种制程反应室内回复静电夹头支撑表面之设备,其至少包含:至少一反应室接地元件;一置放于该静电夹头之支撑表面上的替代基板;一介于该替代基板与该反应室接地元件之接地通路;以及一介于该替代基板与该静电夹头之支撑表面的连结以移除该支撑表面之累积电荷。20.如申请专利范围第19项所述之设备,其中上述介于该替代基极与该支撑表面之连结是一高能直流电源供应器。21.如申请专利范围第20项所述之设备,其中上述介于该替代基板与该反应室接地元件之接地通路是连接该替代基板与该反应室接地元件的电浆。22.如申请专利范围第20项所述之设备,其中上述介于该替代基板与该反应室接地元件之接地通路是一接附该替代基板与该反应室接地元件之接地电线。图式简单说明:第一图是一描述执行本发明方法步骤的流程图;第二图是使用第一图所显示方法中反应室的部分横剖面视图;第三图是一执行本方法设备之爆炸正视图;以及第四图是一于执行本发明时设备及反应反应室元件之代表电路图。
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