金氧半元件与其制造方法

摘要

一种金氧半元件及其制造方法，其特征在于利用二氧化矽层而自行对准蚀刻产生复晶矽(电导体)槽沟结构的源极/汲极，以取代传统植入式高浓度掺杂源极/汲极结构。且本发明之源极/汲极复晶矽(电导体)延伸至场区氧化层或闸极之上，以此位置作为金属接触窗的接触点，不受原接触窗与闸极；接触窗与场区氧化层边缘；接触窗大小之布局规范限制，故可制造更小更密集之元件。另外，金属接触窗形成在场区氧化层上之源极/汲极电导体上，亦避免了在原矽基底上过蚀刻、金属尖峰现象、 或对准误差等造成元件失效之情形，而使制程更安全。

主权项

1.一种金氧半元件之制造方法,包括:a.提供一基底;b.在该基底上形成一场区氧化层,以界定出一主动区;c.在该主动区内形成一闸极;d.在该闸极两侧之该基底中形成两个轻度掺杂区;e.在该闸极两侧形成一间隙壁;f.在该基底上形成一第一绝缘层;g.在该闸极两侧之该间隙壁与该场区氧化层之间的该基底中,分别形成一槽沟;h.于该槽沟表面形成一第二绝缘层;i.于该槽沟中植入一第一电导体层,并回蚀刻该第一电导体层至约低于该基底表面为止;j.去除曝露出之该第二绝缘层,使剩余之该第二绝缘层的表面约低于该第一电导体层;k.形成一第二电导体层,将该槽沟填满并且覆盖在该场区氧化层表面;以及l.去除部份该第二电导体层,使得不同槽沟上之该第二电导体层不相接,以形成源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法在步骤1之后,更包括:形成一第三绝缘层;去除部份该第三绝缘层,曝露出该第二电导体层以形成一接触窗开口;以及在该接触窗开口中形成一接触窗。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤f中之该第一绝缘层系一氮化矽层4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该氮化矽层系以化学气相沈积法沈积而成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤g中之该些槽沟系以该场区氧化层以及该间隙壁为罩幕,利用乾蚀刻所形成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤i中之该第一电导体层系为高杂质浓度的复晶矽层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤k中之该第二电导体层系为高杂质浓度的复晶矽层。8.一种金氧半元件,形成在定义有一主动区之一基底中,其中,该基底上形成有一隔离层,且该隔离层包围住该主动区;该金氧半元件包括:一闸极层,设置在该主动区上;以及源极/汲极区,深入该基底且延伸至该隔离层上。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该隔离层系一场区氧化层。10.如申请专利范围第8项所述之元件,其中该源极/汲极区系分别包括一电导体层。11.如申请专利范围第10项所述之元件,其中该电导体层系为高杂质浓度的复晶矽层。12.如申请专利范围第8项所述之元件,其中该元件更包括两个接触窗,分别形成在该隔离层上方,且分别与该源极区和汲极区电性藕接。图示简单说明:第一图是习知一种金氧半元件之剖面示意图。第二A图到第二F图绘示依照本发明一较佳实施例的一种金氧半元件之制造流程剖面图。