| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE A SEMICONDUCTEUR ET COMPOSANT ET MATRICE DE COMPOSANTS FABRIQUES SELON CE PROCEDE |
| 摘要 |
<P>Selon l'invention on utilise un procédé de dépôt épitaxial pour déposer des matériaux cristallisables avec la maille de l'arséniure de gallium sur une plaque cristalline (P1) de phosphure d'indium. Un tel matériau cristallisable forme une couche métamorphique. De telles couches métamorphiques constituent deux miroirs de Bragg semi-conducteurs (43, M2) pour former les cavités résonantes des lasers à émission de surface d'une matrice. Cette matrice est consolidée par un support de silicium (50).<BR/>L'invention s'applique aux télécommunications optiques.</P> |
| 申请公布号 |
FR2753577(A1) |
申请公布日期 |
1998.03.20 |
| 申请号 |
FR19970003413 |
申请日期 |
1997.03.20 |
| 申请人 |
ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE |
发明人 |
GOLDSTEIN LEON;BRILLOUET FRANCOIS;FORTIN CATHERINE;JACQUET JOEL;SALET PAUL;LAFRAGETTE JEAN LUC;PLAIS ANTONINA |
| 分类号 |
G02F1/015;H01L21/203;H01L33/00;H01S5/00;H01S5/02;H01S5/024;H01S5/042;H01S5/183 |
主分类号 |
G02F1/015 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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