VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GaN KRISTALLEN MIT HOHEM WIDERSTAND,申请号DE1998603067T-传众专利搜索

发明名称	VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GaN KRISTALLEN MIT HOHEM WIDERSTAND
摘要
申请公布号	DE69803067(T2)	申请公布日期	2002.07.18
申请号	DE1998603067T	申请日期	1998.06.03
申请人	CENTRUM BADAN WYSOKOCISNIENIOWYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK, WARSCHAU/WARSZAWA	发明人	LUCZNIK, BOLESLAW;SUSKI, TADEUSZ;WROBLEWSKI, MIROSLAW;POROWSKI, SYLWESTER;BOCKOWSKI, MICHAL;GRZEGORY, IZABELLA;KRUKOWSKI, STANISLAW;LESZCZYNSKI, MICHAL
分类号	C30B29/38;C30B9/00;C30B11/00;(IPC1-7):C30B9/00;C30B29/40	主分类号	C30B29/38
代理机构		代理人
主权项
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