METHOD OF FABRICATING SRAM DEVICE USING IMPURITY DIFFUSION BY THERMAL PROCESS

摘要

본 발명은 SRAM 소자의 제조 방법에 있어서, 박막 트랜지스터 상에 형성되는 산화막의 단차와, BSG 막을 이용한 불순물 이온의 확산을 통하여 SRAM 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 SRAM 소자 제조 방법은 하지층이 구비된 반도체 기판 상에 박막 트랜지스터 게이트 전극을 형성하고, 그 상부에 게이트 산화막과 박막 트랜지스터 채널 및 전원 전압 라인 형성용 폴리 실리콘 박막을 형성하는 단계; 상기 폴리 실리콘 박막 상에 배리어막을 형성한 후에 소정 부분을 식각하여 제거하는 단계; 상기 결과물 상에 불순물 확산층 및 로드 산화막, 층간 절연막을 차례로 형성하는 단계; 및 상기 층간 절연막을 열처리 공정으로 평탄화시킨 후에 금속 배선을 형성하는 단계를 포함한다.