| 主权项 |
1.一种用于制造一半导体结构之方法,包括之步骤有:(a)在一半导体基板上形成一第一氮化矽膜;(b)图案化该第一氮化矽膜成为一预设外形,利用该第一氮化矽膜作为遮罩蚀刻该产生之半导体基板,用以形成复数之第一沟渠及至少一第二沟渠,因而形成一第一岛群及至少一第二似岛区域,该第一岛群系由位于该复数第一沟渠间之复数第一似岛区域所组成,与该第二似岛区域系间隔第二沟渠邻接至第一岛群及系宽于该第一似岛区域;(c)沉积一氧化矽膜覆盖该产生之表面,用以充满具有该氧化矽膜之第一及第二沟渠;(d)形成一第二氮化矽膜覆盖该产生之表面;(e)藉一化学机械抛光(CMP)方法使用一第一泥浆抛光该第二氮化矽膜及该氧化矽膜,直到曝露出该第二似岛区域上之第一氮化矽膜表面;(f)藉一CMP方法使用一第二泥浆抛光该第二氮化矽膜及该氧化矽膜,直到曝露出该第一似岛区域上之第一氮化矽膜表面;(g)蚀刻一预定量之氧化矽膜;及(h)移除该第二氮化矽膜及第一氮化矽膜。2.根据申请专利范围第1项之用于制造一半导体结构方法,其中,形成该第二氮化矽膜致使在该第二沟渠平坦区域上该第二氮化矽膜表面是与在该第一沟渠平坦区域上该第一氮化矽膜表面同平面。3.根据申请专利范围第1项之用于制造一半导体结构方法,其中,形成该第二氮化矽膜致使该第二氮化矽膜之厚度系小于该第一氮化矽膜之厚度。4.根据申请专利范围第1至3项中任一项之用于制造一半导体结构方法,其中,在步骤(e)之前,利用一遮罩蚀刻该第二氮化矽膜及在该第二似岛区域上之氧化矽膜,直到曝露出该第一氮化矽膜表面,藉此在该第二似岛区域上形成一开口。5.根据申请专利范围第1至3项中任一项之用于制造一半导体结构方法,其中,一含矽复合物泥浆系用作该第一泥浆及一含铈复合物泥浆系用作该第二泥浆。6.根据申请专利范围第4项之用于制造一半导体结构方法,其中,一含矽复合物泥浆系用作该第一泥浆及一含铈复合物泥浆系用作该第二泥浆。图式简单说明:图1(a)至1(h)系根据本发明之一具体实施例显示一用于制造该半导体结构方法之半导体结构主要部份之概要式剖面图;以及图2(a)至2(e)系根据本发明之一具体实施例显示一用于制造该半导体结构之传统方法之半导体结构主要部份之概要式剖面图。 |
