| 主权项 |
1.一种半导体显示装置,其包含:形成于绝缘表面上的半导体膜;与半导体膜接触的闸极绝缘膜;与闸极绝缘膜接触的第一闸电极;与第一闸电极接触的第二闸电极;其中半导体膜包含:通道形成区、与通道形成区接触的LDD区、与LDD区接触的源极区与泄极区、其中第一闸电极于通道纵向的第一宽度较第二闸电极于通道纵向的第二宽度为宽,其中LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间。2.一种半导体显示装置,其包含:形成于绝缘表面上的半导体膜;与半导体膜接触的闸极绝缘膜;与闸极绝缘膜接触的第一闸电极;与第一闸电极接触的第二闸电极;其中半导体膜包含:通道形成区、与通道形成区接触的LDD区、与LDD区接触的源极区与泄极区,其中第一闸电极于通道纵向的第一宽度较第二闸电极于通道纵向的宽度为宽;其中LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间;其中通道形成区与第二闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间。3.一种半导体显示装置,其包含:形成于绝缘表面上的半导体膜;与半导体膜接触的闸极绝缘膜;与闸极绝缘膜接触的第一闸电极;与第一闸电极接触的第二闸电极;EL元件,其中半导体膜包含:通道形成区、与通道形成区接触的LDD区、与LDD区接触的源极区与泄极区,其中第一闸电极于通道纵向的第一宽度较第二闸电极于通道纵向的第二宽度为宽,其中LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中通道形成区与第二闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中EL元件具有阳极与阴极,以及形成于阳极阴极间的EL层,其中泄极区电性连接于阳极或者阴极。4.一种半导体显示装置,其包含:形成于绝缘表面上的半导体膜;与半导体膜接触的闸极绝缘膜;与闸极绝缘膜接触的第一闸电极;与第一闸电极接触的第二闸电极,其中第一闸电极于通道纵向的第一宽度较第二闸电极于通道纵向的第二宽度为宽;其中第一闸电极在端部的截面为锥形,其中半导体膜具有包含通道形成区、与通道形成区接触的LDD区、与LDD区接触的源极区与泄极区,其中LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中通道形成区与第二闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间。5.根据申请专利范围第1项所述的半导体显示装置,其中LDD区是藉由在半导体膜加入杂质元素,利用自我对准的方式来形成,且以第二闸电极作为遮罩。6.根据申请专利范围第1项所述的半导体显示装置,其中LDD区的杂质浓度至少包含在11017至11018/cm3浓度梯度的范围区域内,其中杂质浓度会随着与通道形成区相距的距离变长而增加。7.一种具有开关TFT与驱动电路TFT的半导体显示装置,每一个开关TFT与驱动电路TFT包含:形成于绝缘表面上的半导体膜、与半导体膜接触的闸极绝缘膜、与闸极绝缘膜接触的第一闸电极、与第一闸电极接触的第二闸电极;其中第一闸电极于通道纵向的第一宽度较第二闸电极于通道纵向的第二宽度为宽;其中开关TFT的半导体膜包含,夹着闸极绝缘膜,与第二闸电极重叠的第一通道形成区、与第一通道形成区接触,且夹着闸极绝缘膜与第一闸电极重叠的第一LDD区、与第一LDD区接触的第二LDD区、与第二LDD区接触的源极区与泄极区,其中驱动电路TFT的半导体膜包含,夹着闸极绝缘膜,与第二闸电极重叠的第二通道形成区、与第二通道形成区接触,且夹着闸极绝缘膜与第一闸电极重叠的第三LDD区、与第三LDD区接触的第二源极区与第二泄极区。8.一种具有开关TFT与驱动电路TFT的半导体显示装置,每一个开关TFT与驱动电路TFT皆包含:形成于绝缘表面上的半导体膜、与半导体膜接触的闸极绝缘膜、与闸极绝缘膜接触的第一闸电极、与第一闸电极接触的第二闸电极,其中第一闸电极于通道纵向的第一宽度较第二闸电极于通道纵向的第二宽度为宽,其中第一闸电极在端部的戳面为锥形,其中开关TFT的半导体膜包含,夹着闸极绝缘膜,与第二闸电极重叠的第一通道形成区、与第一通道形成区接触,且夹着闸极绝缘膜与第一闸电极重叠的第一LDD区、与第一LDD区接触的第二LDD区、与第二LDD区接触的第一源极区与第一泄极区,其中驱动电路TFT的半导体膜包含,夹着闸极绝缘膜,与第二闸电极重叠的第二通道形成区、与第二通道形成区接触,且夹着闸极绝缘膜与第一闸电极重叠的第三LDD区、与第三LDD区接触的第二源极区与第二泄极区。9.根据申请专利范围第7项所述的半导体显示装置,其中第一LDD区的杂质浓度至少包含在11017至11018/cm3浓度梯度的范围区域内,其中杂质浓度会随着与第一通道形成区相距的距离变长而增加。10.根据申请专利范围第7项所述的半导体显示装置,其中第三LDD区的杂质浓度至少包含在11017至11018/cm3浓度梯度的范围区域内,其中杂质浓度会随着与第二通道形成区相距的距离变长而增加。11.根据申请专利范围第7项所述的半导体显示装置,其中每一个第一LDD区与每一个第三LDD区是藉由在半导体膜加入杂质,利用自我对准的方式来形成,且以第二闸电极作为遮罩。12.一种半导体显示装置,其包含:形成于绝缘表面上的半导体膜;闸极绝缘膜;第一闸电极;第二闸电极;第一接线;第二接线;第一夹层绝缘膜;第二夹层绝缘膜;中间接线;其中闸极绝缘膜形成于绝缘表面上以覆盖半导体膜,其中与闸极绝缘膜接触而形成第一闸电极与第一接线,其中第二闸电极及第二接线分别与第一闸电极及第一接线接触,其中第一闸电极与第一接线形成自第一导电膜,其中第二闸电极与第二接线形成自第二导电膜,其中形成第一夹层绝缘膜以覆盖第一闸电极、第二闸电极、第一接线、第二接线及闸极绝缘膜,其中第二夹层绝缘膜形成于第一夹层绝缘膜之上,其中形成中间接线以覆盖第二夹层绝缘膜,其中中间接线透过形成于第二夹层绝缘膜中的接触电洞与第一夹层绝缘膜接触,其中中间接线与第二接线重叠于接触电洞,且第一夹层绝缘膜位于两者之间,其中半导体膜包含通道形成区、与通道形成区接触的LDD区、与LDD区接触的源极区与泄极区,其中第一闸电极于通道纵向的第一宽度较第二闸电极于通道纵向的第二宽度为宽,其中通道形成区与第二闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间。13.一种半导体显示装置,其包含:形成于绝缘表面上的半导体膜;闸极绝缘膜;第一闸电极;第二闸电极;第一接线;第二接线;第一夹层绝缘膜;第二夹层绝缘膜;中间接线;EL元件;其中闸极绝缘膜形成于绝缘表面上以覆盖半导体膜,其中与闸极绝缘膜接触而形成第一闸电极及第一接线,其中第二闸电极及第二接线分别与第一闸电极及第一接线接触,其中第一闸电极与第一接线形成自第一导电膜,其中第二闸电极与第二接线形成自第二导电膜,其中形成第一夹层绝缘膜以覆盖第一闸电极、第二闸电极、第一接线、第二接线及闸极绝缘膜,其中第二夹层绝缘膜形成于第一夹层绝缘膜之上,其中形成中间接线以覆盖第二夹层绝缘膜,其中中间接线透过形成于第二夹层绝缘膜的第一接触电洞与第一夹层绝缘膜接触,其中中间接线透过第一夹层绝缘膜而与第二接线重叠于第一接触电洞,其中半导体膜包含,通道形成区、与通道形成区接触的LDD区、与LDD区接触的源极区与泄极区,其中LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中通道形成区与第二闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中中间接线透过第二接触电洞与源极区连接,第二接触电洞形成于闸极绝缘膜、第一夹层绝缘膜以及第二夹层绝缘膜中,其中EL元件具有阳极、阴极与形成于阳极阴极间的EL层,其中泄极区电性连接于阳极或阴极。14.一种半导体显示装置,其包含:形成于绝缘表面上的半导体膜;闸极绝缘膜;第一闸电极;第二闸电极;第一接线;第二接线;第一夹层绝缘膜;第二夹层绝缘膜;中间接线;屏蔽膜;其中闸极绝缘膜形成于绝缘表面上以覆盖半导体膜,其中与闸极绝缘膜接触而形成第一闸电极及第一接线,其中第二闸电极及第二接线分别与第一闸电极及第一接线接触,其中第一闸电极与第一接线形成自第一导电膜,其中第二闸电极与第二接线形成自第二导电膜,其中形成第一夹层绝缘膜以覆盖第一闸电极、第二闸电极、第一接线、第二接线以及闸极绝缘膜,其中第二夹层绝缘膜形成于第一夹层绝缘膜之上,其中形成中间接线以覆盖第二夹层绝缘膜,其中中间接线透过形成于第二夹层绝缘膜的接触电洞与第一夹层绝缘膜接触,其中中间接线透过第一夹层绝缘膜而与第二接线重叠于接触电洞,其中半导体膜包含,通道形成区、与通道形成区接触的LDD区、与LDD区接触的源极区与泄极区,其中LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中通道形成区与第二闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中屏蔽膜与中间接线形成自相同的导电膜,其中屏蔽膜形成于第二夹层绝缘膜上,其中屏蔽膜与通道形成区重叠。15.一种半导体显示装置,其包含:形成于绝缘表面上的半导体膜;闸极绝缘膜;第一闸电极;第二闸电极;第一接线;第二接线;第一夹层绝缘膜;第二夹层绝缘膜;中间接线;屏蔽膜;EL元件;其中闸极绝缘膜形成于绝缘表面上以覆盖半导体膜,其中与闸极绝缘膜接触而形成第一闸电极及第一接线,其中第二闸电极及第二接线分别与第一闸电极及第一接线接触,其中第一闸电极与第一接线形成自第一导电膜,其中第二闸电极与第二接线形成自第二导电膜,其中形成第一夹层绝缘膜以覆盖第一闸电极、第二闸电极、第一接线、第二接线以及闸极绝缘膜,其中第二夹层绝缘膜形成于第一夹层绝缘膜之上,其中形成中间接线以覆盖第二夹层绝缘膜,其中中间接线透过形成于第二夹层绝缘膜中的第一接触电洞与第一夹层绝缘膜接触,其中中间接线透过第一夹层绝缘膜而与第二接线重叠于第一接触电洞,其中半导体膜包含,通道形成区、与通道形成区接触的LDD区、与LDD区接触的源极区与泄极区,其中LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中通道形成区与第二闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中中间接线透过第二接触电洞与源极区连接,第二接触电洞形成于闸极绝缘膜、第一夹层绝缘膜以及第二夹层绝缘膜,其中屏蔽膜与中间接线形成自相同的导电膜,其中屏蔽膜形成于第二夹层绝缘膜上,其中屏蔽膜与通道形成区重叠,其中EL元件具有阳极、阴极与形成于阳极阴极间的EL层,其中泄极区电性连接于阳极或阴极。16.一种半导体显示装置,其包含:形成于基底上的光线屏蔽膜;形成于基底上并覆盖光线屏蔽膜的绝缘膜;形成于绝缘膜上的半导体膜;与半导体膜接触的闸极绝缘膜;与闸极绝缘膜接触的第一闸电极;与第一闸电极接触的第二闸电极;其中半导体膜包含,通道形成区、与通道形成区接触的LDD区、与LDD区接触的源极区与泄极区,其中LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中通道形成区与第二闸极绝缘膜重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中光线屏蔽膜透过绝缘膜与通道形成区重叠。17.一种半导体显示装置,其包含:形成于基底上的光线屏蔽膜;形成于基底上并覆盖光线屏蔽膜的绝缘膜;形成于绝缘膜上的半导体膜;与半导体膜接触的闸极绝缘膜;与闸极绝缘膜接触的第一闸电极;与第一闸电极接触的第二闸电极;EL元件;其中半导体膜包含,通道形成区;与通道形成区接触的LDD区;与LDD区接触的源极区与泄极区;其中LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中通道形成区与第二闸极绝缘膜重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中光线屏蔽膜透过绝缘膜与通道形成区重叠,其中EL元件具有阳极、阴极与形成于阳极阴极间的EL层,其中泄极区电性连接于阳极或阴极。18.根据申请专利范围第16项所述的半导体显示装置,其中绝缘膜是利用CMP而平准。19.根据申请专利范围第1项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。20.根据申请专利范围第1项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。21.根据申请专利范围第1项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。22.根据申请专利范围第1项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。23.一种半导体显示装置的制造方法,该方法包含步骤如下:于绝缘表面上形成半导体膜;与半导体膜接触形成闸极绝缘膜;与闸极绝缘膜接触形成第一导电膜;与第一导电膜接触形成第二导电膜;图样出第一导电膜与第二导电膜以形成第一闸电极与第二闸电极;自形成第一闸电极与第二闸电极的一侧加入第一杂质至半导体膜;在半导体膜上形成遮罩,覆盖第一闸电极与第二闸电极;藉由从半导体膜形成遮罩的一侧加入与第一杂质相同导电率的第二杂质以形成通道形成区、与通道形成区接触的第一LDD区、与第一LDD区接触的第二LDD区、以及与第二LDD区接触的源极区与泄极区,其中第一闸电极在通道纵向上长于第二闸电极,其中通道形成区与第二闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间:其中第一LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间。24.一种半导体显示装置的制造方法,该方法包含步骤如下:于绝缘表面上形成半导体膜;与半导体膜接触形成闸极绝缘膜;与闸极绝缘膜接触形成第一导电膜;与第一导电膜接触形成第二导电膜;图样出第一导电膜与第二导电膜以形成第一闸电极与第二闸电极;自形成半导体膜之第一闸电极与第二闸电极的一侧加入第一杂质至半导体膜;在半导体膜上形成遮罩以覆盖第一闸电极与第二闸电极;藉由从半导体膜形成遮罩的一侧加入与第一杂质相同导电率的第二杂质以形成通道形成区、与通道形成区接触的第一LDD区、与第一LDD区接触的第二LDD区、以及与第二LDD区接触的源极区与泄极区,其中第一闸电极在通道纵向上长于第二闸电极,其中通道形成区与第二闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间,其中第一LDD区与第一闸电极重叠,且闸极绝缘膜位于两者之间。25.一种半导体显示装置的制造方法,该方法包含步骤如下:于绝缘表面上形成半导体膜;与半导体膜接触形成闸极绝缘膜;形成与闸极绝缘膜接触的第一型第一闸电极与第一型第二闸电极;蚀刻第一型第一闸电极与第一型第二闸电极以形成具有第一锥部的第一闸电极以及具有第二锥部的第二闸电极;经由闸极绝缘膜加入具有一种导电率形态的杂质元素至半导体膜以形成第二LDD区,且同时经由第一闸电极的锥部加入具有一种导电率形态的杂质元素至半导体膜以形成第一LDD区;其中第一LDD区中的杂质元素浓度向半导体膜的边缘部增加;加入具有一种导电率形态的杂质元素以形成源极区与泄极区,其中具有第一锥部的第一闸电极与具有第二锥部的第二闸电极作为遮罩。26.一种半导体显示装置的制造方法,该方法包含步骤如下:于绝缘表面上形成半导体膜;与半导体膜接触形成闸极绝缘膜;与闸极绝缘膜接触形成第一导电膜;与第一导电膜接触形成第二导电膜;蚀刻第二导电膜以形成第一型第二导电膜;蚀刻第一导电膜以形成第一型第一导电膜;蚀刻第一型第一闸电极与第一型第二闸电极以形成具有第一锥部的第一闸电极以及具有第二锥部的第二闸电极;经由闸极绝缘膜加入具有一种导电率形态的杂质元素至半导体膜以形成第二LDD区,且同时经由第一闸电极的第一锥部加入具有一种导电率形态的杂质元素至半导体膜以形成第一LDD区;其中第一LDD区中的杂质元素浓度向半导体膜的边缘部增加;加入具有一种导电率形态的杂质元素以形成源极区与泄极区,其中具有第一锥部的第一闸电极与具有第二锥部的第二闸电极作为遮罩。27.根据申请专利范围第2项所述的半导体显示装置,其中LDD区是藉由在半导体膜加入杂质元素,利用自我对准的方式来形成,且以第二闸电极作为遮罩。28.根据申请专利范围第2项所述的半导体显示装置,其中LDD区的杂质浓度至少包含在11017至11018cm3浓度梯度的范围区域内,其中杂质浓度会随着与通道形成区相距的距离变长而增加。29.根据申请专利范围第2项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。30.根据申请专利范围第2项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。31.根据申请专利范围第2项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。32.根据申请专利范围第2项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。33.根据申请专利范围第3项所述的半导体显示装置,其中LDD区是藉由在半导体膜加入杂质元素,利用自我对准的方式来形成,且以第二闸电极作为遮罩。34.根据申请专利范围第3项所述的半导体显示装置,其中LDD区的杂质浓度至少包含在11017至11018/cm3浓度梯度的范围区域内,其中杂质浓度会随着与通道形成区相距的距离变长而增加。35.根据申请专利范围第3项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。36.根据申请专利范围第3项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。37.根据申请专利范围第3项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。38.根据申请专利范围第3项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。39.根据申请专利范围第4项所述的半导体显示装置,其中LDD区是藉由在半导体膜加入杂质元素,利用自我对准的方式来形成,且以第二闸电极作为遮罩。40.根据申请专利范围第4项所述的半导体显示装置,其中LDD区的杂质浓度至少包含在11017至11018/cm3浓度梯度的范围区域内,其中杂质浓度会随着与通道形成区相距的距离变长而增加。41.根据申请专利范围第4项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。42.根据申请专利范围第4项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。43.根据申请专利范围第4项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。44.根据申请专利范围第4项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。45.根据申请专利范围第7项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。46.根据申请专利范围第7项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。47.根据申请专利范围第7项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。48.根据申请专利范围第7项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。49.根据申请专利范围第8项所述的半导体显示装置,其中第一LDD区的杂质浓度至少包含在11017至11018/cm3浓度梯度的范围区域内,其中杂质浓度会随着与第一通道形成区相距的距离变长而增加。50.根据申请专利范围第8项所述的半导体显示装置,其中第三LDD区的杂质浓度至少包含在11017至11018/cm3浓度梯度的范围区域内,其中杂质浓度会随着与第二通道形成区相距的距离变长而增加。51.根据申请专利范围第8项所述的半导体显示装置,其中每个第一LDD区与第三LDD区是藉由在半导体膜加入杂质,利用自我对准的方式来形成,且以第二闸电极作为遮罩。52.根据申请专利范围第8项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。53.根据申请专利范围第8项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。54.根据申请专利范围第8项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。55.根据申请专利范围第8项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。56.根据申请专利范围第12项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。57.根据申请专利范围第12项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。58.根据申请专利范围第12项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。59.根据申请专利范围第12项所述的半导体显示装置,其与个人电脑结合。60.根据申请专利范围第13项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。61.根据申请专利范围第13项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。62.根据申请专利范围第13项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。63.根据申请专利范围第13项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。64.根据申请专利范围第14项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。65.根据申请专利范围第14项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。66.根据申请专利范围第14项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。67.根据申请专利范围第14项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。68.根据申请专利范围第15项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。69.根据申请专利范围第15项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。70.根据申请专利范围第15项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。71.根据申请专利范围第15项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。72.根据申请专利范围第16项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。73.根据申请专利范围第16项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。74.根据申请专利范围第16项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。75.根据申请专利范围第16项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。76.根据申请专利范围第17项所述的半导体显示装置,其中绝缘膜是利用CMP而平准。77.根据申请专利范围第17项所述的半导体显示装置,其结合摄影机。78.根据申请专利范围第17项所述的半导体显示装置,其结合影像再生装置。79.根据申请专利范围第17项所述的半导体显示装置,其结合头戴式显示器。80.根据申请专利范围第17项所述的半导体显示装置,其结合个人电脑。图式简单说明:图1A至1F显示本发明之EL显示装置的制造制程;图2A与2B为本发明之TFT闸电极的放大图;图3A至3D显示实施例1之EL显示装置的制造制程;图4A至4C显示实施例1之EL显示装置的制造制程;图5A至5C显示实施例1之EL显示装置的制造制程;图6A与6B显示实施例1之EL显示装置的制造制程;图7A与7B分别显示实施例2之EL显示装置其图素的上视图与电路图;图8为实施例3之EL显示装置的截面图;图9为实施例4之EL显示装置的截面图;图10为实施例5之EL显示装置的截面图;图11A与11B分别显示实施例6之EL显示装置其图素的上视图与截面图;图12A与12B显示对实施例7之半导体层结晶的方法;图13A与13B显示对实施例7之半导体层结晶的方法;图14A与14B显示对实施例7之半导体层结晶的方法;图15A与15B分别显示实施例8之EL显示装置的外部图与截面图;图16A至16F显示使用实施例13之EL显示装置的电子设备;图17A与17B显示使用实施例13之EL显示装置的电子设备;图18显示实施例10之FL显示装置的方块图;图19A至19D显示实施例11之TFT闸电极的放大图;图20A与20B显示实施例14之TFT闸电极的放大图;图21显示出实施例14之A型中TaN膜厚度与电子温度的关系;图22显示出实施例14之B型中TaN膜厚度与电子温度的关系;图23显示出实施例14之B型中电子温度与水平向电场强度的比较;及图24显示出实施例14之A与B型中磷的浓度分布。 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