发明名称 薄膜形成装置及方法,及自发光装置
摘要 本发明提供藉着将用来形成EL层的材料选择性地淀积在想要的位置处而形成EL层的措施。当用来形成EL层的材料被淀积时,掩模(113)设置在样品船(111)与基板(110)之间。藉着施加电压于掩模(113),用来形成EL层的材料的前进方向受控制而使其被选择性地淀积在想要的位置处。
申请公布号 TW495812 申请公布日期 2002.07.21
申请号 TW090103840 申请日期 2001.02.20
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;广木正明;石丸典子
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种薄膜形成方法,其中提供内部含有EL材料的一样品船,上面设置有一电极的一基板,以及在该样品船与该基板之间的一掩模;使该样品船中的该EL材料成为蒸汽状态;于蒸汽状态的该EL材料从该样品船朝向该基板排出;且使于蒸汽状态的该EL材料通过该掩模的相应于该电极的一开口,以将该EL材料淀积在该基板的该电极上且形成薄膜。2.如申请专利范围第1项所述的薄膜形成方法,其中电压施加于该掩模。3.如申请专利范围第1项所述的薄膜形成方法,其中当使该样品船中的该EL材料成为蒸汽状态时,以及当于该蒸汽状态的该EL材料从该样品船朝向该基板排出时,于蒸汽状态的该EL材料被充电。4.如申请专利范围第1项所述的薄膜形成方法,其中该掩模的该开口为阻挡部份的一间隙。5.如申请专利范围第1项所述的薄膜形成方法,其中有多个掩模,并且不同的电压分别施加于该多个掩模。6.如申请专利范围第1项所述的薄膜形成方法,其中该电极为一像素电极。7.如申请专利范围第1项所述的薄膜形成方法,其中该EL材料为一低分子量材料。8.如申请专利范围第1项所述的薄膜形成方法,其中该薄膜的厚度为10nm(毫微米)至10m(微米)。9.如申请专利范围第1项所述的薄膜形成方法,其中该掩模为由导电材料形成的一导电金属线,由导电金属线形成的网状结构,由导电材料形成的一板状结构,或互相平行配置的多个导电金属线。10.一种薄膜形成装置,包含:一样品船,内部含EL材料;用来使该样品船中的该EL材料成为蒸汽状态的机构一基板,上面设置有一电极;一掩模,在该样品船与该基板之间;及用来施加电压于该掩模的机构。11.如申请专利范围第10项所述的薄膜形成装置,其中于蒸汽状态的该EL材料的前进方向或淀积位置是由用来施加电压于该掩模的该机构控制。12.如申请专利范围第10项所述的薄膜形成装置,另外包含用来充电于蒸汽状态的该EL材料的机构。13.如申请专利范围第10项所述的薄膜形成装置,另外包含设置在该基板与该掩模之间的另一掩模,并且与施加于该掩模的电压不同的电压施加于该另一掩模。14.一种薄膜形成方法,其中提供内部含有EL材料的一样品船,上面设置有一电极的一基板,以及在该样品船与该基板之间的一掩模;使该样品船中的该EL材料成为蒸汽状态;于蒸汽状态的该EL材料从该样品船朝向该基板排出;使于蒸汽状态的该EL材料通过该掩模的相应于该电极的一开口,以将该EL材料淀积在该基板的该电极上且形成薄膜;且电压施加于该掩模。15.一种薄膜形成方法,其中提供内部含有EL材料的一样品船,上面设置有一电极的一基板,以及在该样品船与该基板之间的一掩模;使该样品船中的该EL材料成为蒸汽状态;于蒸汽状态的该EL材料从该样品船朝向该基板排出;使于蒸汽状态的该EL材料通过该掩模的相应于该电极的一开口,以将该EL材料淀积在该基板的该电极上且形成薄膜;且于蒸汽状态的该EL材料被充电。16.一种薄膜形成装置,包含:一样品船,内部含有EL材料;用来使该样品船中的该EL材料成为蒸汽状态的机构;一基板,上面设置有一电极;一掩模,在该样品船与该基板之间;用来施加电压于该掩模的机构;及用来充电于蒸汽状态的该EL材料的机构。17.一种显示装置之制造方法,包含之步骤为:提供一基底和一掩模在该基底上;蒸发一有机材料;和经由掩模之开口而将所蒸发之有机材料选择性的至基底上以形成一薄膜,其中一电压施加至掩模。18.如申请专利范围第17项之显示装置之制造方法,进一步包含之步骤为对蒸发之有机材料充电。19.一种显示装置之制造方法,包含之步骤为:提供一基底;提供至少第一掩模和第二掩模在该基底上;蒸发一有机材料;和经由第一掩模之第一开口和第二掩模之第二开口而将所蒸发之有机材料选择性的至基底上以形成一薄膜,其中第一电压施加至第一掩模和第二电压施加至第二掩模,和其中一电压和第二电压不同。20.如申请专利范围第19项之显示装置之制造方法,进一步包含之步骤为对蒸发之有机材料充电。图式简单说明:图1A及1B显示根据本发明的藉着蒸发来淀积有机EL材料的方法。图2显示像素部份的截面结构。图3A至3C显示像素部份的结构及其顶视图。图4A至4E显示制造EL显示装置的过程。图5A至5D显示制造EL显示装置的过程。图6A至6C显示制造EL显示装置的过程。图7A及7B显示于EL显示装置的像素部份的TFT的截面结构。图8A及8B显示于EL显示装置的像素部份的TFT的截面结构。图9显示EL显示装置的外观。图10显示EL显示装置的电路方块结构。图11A及11B显示主动矩阵EL显示装置的截面结构。图12A及12B各显示有机EL材料藉着蒸发的淀积图型。图13A及13B各显示掩模图型。图14显示被动EL显示装置的截面结构。图15A至15F显示电气设备的特定例子。图16A及16B显示电气设备的特定例子。图17A及17B显示根据本发明的藉着蒸发来淀积有机EL材料的方法。
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