| 主权项 |
1.一种在记忆体装置中于自动程式干扰抹除验证(APDEV)操作期间对多个字元线(18)提供预定之偏压的方法,该方法包含下列步骤:应用电荷共用电路(12)产生第一预定电压;在第一预定时段内,应用该第一预定电压充电该字元线(18);应用温度补偿偏压产生器电路(14)产生第二预定电压;以及在该第一预定时段结束时,在一段第二预定时段期间,应用该第二预定电压充电该字元线(18)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该电荷共用电路(12)包含充电致能电路(22)、电容器节点(24)、储存放电电路(26)、单击电路(28)及温度补偿致能电路(30)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中基于该记忆体装置的操作温度产生该第二预定电压。4.如申请专利范围第1项之方法,其中应用至少一个电性连接该电荷共用电路(12)、该温度补偿偏压产生器电路(14)及该字元线(18)的通过闸(16)而将该第一及第二预定电压导向该多个字元线(18)。5.一种在记忆体装置中,在自动程式干扰抹除验证(APDEV)操作期间将多个字元线充电偏压的方法,该方法包含下列步骤:提供电荷共用电路(12)以产生第一预定电压;将该第一预定电压导向该多个字元线(18),直到充电该字元线(18)至基础电压位准为止;提供该温度补偿偏压产生器电路(14)以产生第二预定电压;当达到该基础电压位准时,将该第二预定电压导向该多个字元线(18);以及应用该第二预定电压充电该字元线(18),直到达到该偏位电压为止。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该电荷共用电路(12)包含充电致能电路(22)、电容器节点(24)、储存放电电路(26)单击电路(28)及温度补偿致能电路(30)。7.如申请专利范围第5项之方法,其中基于该记忆体装置的操作温度产生该第二预定电压。8.一种在自动程式干扰抹除验证(APDEV)操作期间可对多个字元线(18)充电偏压的记忆体装置,包含电性连接该字元线的电荷共用电路(12),该电荷共用电路(12)产生第一预定电压,在第一预定时段期间,将此第一预定电压作用到该字元线(18);温度补偿偏压产生器电路(14),此电路电性连接该电荷共用电路(12)及该字元线(18),该温度补偿偏压产生器电路(14)产生第二预定电压,在该第一预定时段后,在第二预定时段期间,将该第二预定电压作用到该字元线(18);以及主少一个通过闸(16),此闸经由该电荷共用电路(12)、该温度补偿偏压产生器电路(14)及该字元线(18),以在对应的时段中将该对应的第一及第二预定电压导向该字元线(18);因此将字元线(18)充电到该偏位电压。9.如申请专利范围第8项之记忆体装置,其中该电荷共用电路(12)包含充电致能电路(22)、电容器节点(24)、储存放电电路(26)、单击电路(28)及温度补偿致能电路(30)。10.如申请专利范围第8项之记忆体装置,其中该温度补偿偏压产生器电路(14)包含字元线致能电路(46)、温度调整电路(48)、源极偏压电路(52)及放电电路(54)。图式简单说明:第1图表示包含本发明之较佳快闪记忆体之一部份的方块图。第2图为较佳电荷共用电路的方块图。第3图为较佳温度补偿偏压电路的方块图。第4图为较佳电荷共用电路的电路示意图。第5图表示在APDEV操作期间字元线充电的时序图。 |
