Interner Spannungserhöhungsschaltkreis in einer Halbleiterspeichervorrichtung,申请号DE19951038033-传众专利搜索

发明名称	Interner Spannungserhöhungsschaltkreis in einer Halbleiterspeichervorrichtung
摘要
申请公布号	DE19538033(C2)	申请公布日期	1998.03.19
申请号	DE19951038033	申请日期	1995.10.12
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD., SUWON, KYUNGKI, KR	发明人	YOON, SEI-SEUNG, SEOUL/SOUL, KR;KIM, BYUNG-CHUL, KYUNGKI, KR
分类号	G11C11/407;G11C5/14;H02M3/07;H03K19/00;(IPC1-7):G11C5/14	主分类号	G11C11/407
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