| 主权项 |
1.一种晶圆搬送方法,系可将晶圆一片一片连续地进行处理,且系在由背面侧对晶圆进行加热之方式的连续单片式气相薄膜成长装置中进行者,其特征为:在薄膜成长处理结束之晶圆与进行下一个薄膜成长处理之晶圆的调换搬送步骤中,一起搬送薄膜成长时所使用的晶圆支持构件与晶圆,并且在高于室温的温度下进行该步骤。2.如申请专利范围第1项之晶圆搬送方法,其中上述晶圆调换搬送步骤中之装置内温度,系为大于500℃而小于1000℃之间者。3.如申请专利范围第1或2项之晶圆搬送方法,其中上述晶圆支持构件,系由与晶圆为相同的材质所构成者。4.如申请专利范围第1或2项之晶圆搬送方法,其中上述晶圆支持构件上形成有用以保持晶圆的凹面座台,该凹面座台的凹部深度,系与晶圆厚度几乎为等厚度。5.如申请专利范围第1或2项之晶圆搬送方法,其中供应给薄膜成长处理用之晶圆系为矽晶圆。6.一种薄膜成长处理用之晶圆支持构件,其特征为:系由与供应给薄膜成长处理之晶圆为相同的材质所构成;及形成有用以保持该晶圆的凹面座台;且,该凹面座台的凹部深度,系与晶圆厚度几乎为等厚度。图式简单说明:图1为显示本发明之单片式气相薄膜成长装置之晶圆支持部之构造之概率剖面图。图2为使用习知之单片式气相薄膜成长装置,显示进行藉由习知法之气相薄膜成长处理之情形之升降温时之晶圆中央部与外周部之温度差之线图。图3为使用本发明之单片式气相薄膜成长装置,显示进行藉由本发明之晶圆搬送法之气相薄膜成长处理之情形之升降温时之晶圆中央部与外周部之温度差之线图。图4为显示习知之单片式气相薄膜成长装置之反应炉内之构造之概率剖面图。图5为显示习知之单片式气相薄膜成长装置之晶圆支持部之构造之概率剖面图。 |
