| 主权项 |
1.一种制造有机发光装置的方法,该有机发光装置包含一包括一聚合物层且位于两个电极之间的有机发光区域,致使带电体可在该等电极与该有机发光区域之间移动,该方法包含利用含有活性氧物质与活性氟及/或氯物质的混合物的混合物来蚀刻该有机发光装置之聚合物层的步骤。2.如申请专利范围第1项之方法,其该聚合物系经聚苯乙烯磺酸掺杂的聚乙烯基二氧吩。3.一种制造有机发光装置的方法,包含的步骤有:提供一包含一第一电极的基板;在该基板的第一表面上形成一有机发光区域,致使带电体可在该第一电极与该有机发光区域之间移动,该有机发光区域包括一聚合物层;在相对该第一电极之有机发光区域的表面上形成一第二电极,致使带电体可在该第二电极与该有机发光区域之间移动;以及藉由利用含有活性氧物质与活性氟及/或氯物质之混合物蚀刻来移除包括该聚合物层之有机发光区域中一个或多个不要的部分。4.如申请专利范围第3项之方法,其中在该有机发光区域的表面上形成该第二电极的步骤,系于移除该有机发光区域中不要的部分之步骤前进行。5.如申请专利范围第3项之方法,其中移除该有机发光区域中一个或多个不要的部分之步骤,包含移除该有机发光区域的周边部分以暴露该基板之第一表面的一第一部份,该有机发光区域之余留部分据此界定该基板之第一表面的一第二部份,其中该基板之第一表面的第一部份环绕该基板之第一表面的第二部份。6.如申请专利范围第4项之方法,其中移除该有机发光区域中一个或多个不要的部分之步骤,包含移除该有机发光区域的周边部分以暴露该基板之第一表面的一第一部份,该有机发光区域之残留部分据此界定该基板之第一表面的一第二部份,其中该基板之第一表面的第一部份环绕该基板之第一表面的第二部份。7.如申请专利范围第5项之方法,其进一步包含在该基板上之残留的有机发光区域的部份与该基板之第一表面的第二部份上面提供一或多个阻断层的步骤,藉此封装在该基板与该封装层间的基板上所残留之有机发光区域的部份。8.如申请专利范围第6项之方法,其进一步包含在该基板上之残留的有机发光区域的部份与该基板之第一表面的第二部份上面提供一或多个阻断层的步骤,藉此封装在该基板与该封装层间的基板上所残留之有机发光区域的部份。9.如申请专利范围第4项之方法,其进一步包含于蚀刻之前,在该第二电极层上方形成一保护层,藉此覆盖与该第二电极层直接邻接之有机发光区域的部份。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该保护层仅形成于剩下经暴露之该第二电极层之一第二部份的该第二电极层之一第一部份上,以及进一步包含在该第二电极层经暴露之部份上形成一个电气接点的步骤。11.如申请专利范围第3至10项中任一项之方法,其中该有机发光区域包含一个电洞传输层。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该电洞传输层包含经聚苯乙烯磺酸掺杂的聚乙烯基二氧吩。图式简单说明:第1(a)至1(c)图是依据本发明之方法的一个实施例制造一有机发光装置的各个阶段的断面示意图,同时第1(d)图是在第1(a)图所示之阶段下该装置的示意平面图;和第2(a)与2(b)图是显示依据本发明之方法的一个实施例制造一多阴极有机发光装置的断面示意图。 |
