| 摘要 |
<p>Bei kontaktlosen ID-Systemen wird die Versorgungsspannung aus dem Feld gewonnen. Deshalb ist sie nicht konstant, wie bei batteriebetriebenen ICs, sondern schwankt teilweise um einige 100 mV. Bekannte RAM Speicheranordnung arbeiten fehlerhaft, wenn die Versorgungsspannung Schwankungen unterworfen ist. Daher ist es bei einer RAM Speicheranordnung mit mindestens einer Speicherzelle, deren komplementäre Ausgänge mit einer ersten und einer zweiten Datenleitung (d(x), db(x)) verbunden sind, vorgesehen, daß die Source Drain Strecke eines ersten weiteren p-Kanal Transistors (p1a) die erste Datenleitung (d(x)) mit dem Versorgungsspannungspotential (vvdd) und die Source Drain Strecke des zweiten weiteren p-Kanal Transistors (p2a) die zweite Datenleitung (db(x)) mit dem Versorgungsspannungspotential (vvdd) verbindet. Dadurch kann bei Schwankungen der Versorgungsspannung der eine Ausgang immer sofort auf den aktuellen Wert der Versorgungsspannung nachgeführt werden.</p> |
