半导体集成电路

摘要

在包括输入级输入缓冲电路的半导体集成电路中,输入缓冲电路的输入端连接到输入MOS晶体管的栅电极,该栅电极的栅长度大于按实用设计规则指定的栅极长度。另一种办法是,在半导体集成电路的门阵列系统中,形成预定数目的、具有大于按实用设计规则指定的栅极长度的栅电极。输入缓冲电路的输入晶体管是这样形成的,使得所述栅电极之一的栅长度大于按实用设计规则指定的栅极长度。

主权项

1.一种半导体集成电路，它包括输入级的输入缓冲电路，所述输入缓冲电路的输入端连接到起码一个输入晶体管的起码一个栅极电极上，其特征在于：所述晶体管有大于按实用设计规则指定的栅极长度。