半导体元件以及其制造方法

摘要

一成为一矽化物块的氮化矽薄膜，系构成在其上构成有一闸极以及一轻掺杂汲极层的一半导体基板上。针对氮化矽薄膜配置一开口与轻掺杂汲极层连通。将杂质经由开口引入轻掺杂汲极层，用以构成一源极／汲极层，并将其之表面矽化用以构成一矽化物薄膜。再者，构成一二氧化矽之层间绝缘薄膜，接着在二氧化矽之蚀刻率高于氮化矽之蚀刻率的状况下接受蚀刻，用以构成一接点孔，其系自层间绝缘薄膜之上表面经由开口而抵达轻掺杂汲极层。