| 发明名称 | 片式半导体封装及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明实施例的片式半导体封装,包括:其上形成有多个芯片焊盘的半导体芯片;所形成的使芯片焊盘暴露的钝化膜;形成于钝化膜上表面与每个芯片焊盘相连的多根金属布线;电连接金属布线的外焊料球;及形成于半导体芯片上部的模制树脂层,它使外焊料球的上表面突出来。 | ||
| 申请公布号 | CN1176492A | 申请公布日期 | 1998.03.18 |
| 申请号 | CN97101983.5 | 申请日期 | 1997.02.21 |
| 申请人 | LG半导体株式会社 | 发明人 | 柳仲夏 |
| 分类号 | H01L25/00;H01L21/98 | 主分类号 | H01L25/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
| 主权项 | 1.一种片式半导体封装，包括：其上形成有多个芯片焊盘的半导体芯片；所形成的使芯片焊盘暴露的钝化膜；在钝化膜上表面连接芯片焊盘的多根金属布线；与金属布线电连接的外焊料球；及形成于半导体芯片上部的模制树脂层，它使外焊料球的上表面突出来。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||