用于浅沟槽绝缘隔离的空隙填充及平面化工艺方法

摘要

提供了一种方法,用绝缘材料填充集成电路的半导体衬底的浅沟槽绝缘隔离(STI)的沟槽,并使所得结构平面化,使集成电路相邻部分在同一平面上。该方法包括:在半导体衬底的无源区中形成沟槽,在沟槽内和半导体衬底上淀积氧化层,去除集成电路结构有源区的氧化物,留下具有相对集成电路结构的其他部分为基本平面化形貌的氧化物填充浅沟槽隔离结构。

主权项

1.一种包括在形成于衬底上的器件结构之间形成绝缘隔离的步骤的制造器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底表面上限定有源区和无源区；在无源区中形成隔离沟槽；用高密度等离子增强化学汽相淀积(HDP-CVD)在表面形成绝缘材料层，HDP-CVD层基本没有空隙地有效填充该浅沟槽并覆盖有源区；以及使所述衬底的表面平面化以暴露有源区，同时有效地减少隔离沟槽中绝缘材料的侵蚀，从而提供基本均匀的表面形貌。