存储器的浮动闸极的形成方法

摘要

本发明揭示了一种新的半导体元件的制造方法。首先提供一半导体底材，于半导体底材的边界中分别形成一绝缘区且半导体底材上形成一介电层。然后，进行一第一离子植入步骤以形成一离子植入区于两绝缘区的间的半导体底材中。接着，进行一第二离子植入步骤与一第三离子植入步骤以强化两绝缘区之间的半导体底材中的离子植入区。然后，形成且限定浮动闸极于介电层上。最后，通过第四离子植入步骤形成源极/汲极区于浮动闸极彼此之间的半导体底材中。

主权项

1.一种浮动闸极的形成方法，其特征在于至少包括下列步骤：首先提供一半导体底材，该半导体底材形成一闸极氧化层于其上；通过一具有一硼离子的第一掺质进行一具有约为150KeV至350KeV之间的第一掺杂能量的第一离子植入步骤以形成一第一离子植入区于该半导体底材中；通过一具有一硼离子的第二掺质进行一具有约为100KeV至150KeV之间的第二掺杂能量的第二离子植入步骤以强化该半导体底材中的该第一离子植入区；通过一具有一硼离子的第三掺质进行一具有约为20KeV至70KeV之间的第三掺杂能量的第三离子植入步骤以强化该半导体底材中的该第一离子植入区，借此形成一具有重掺杂的通道区；形成一浮动闸极于该闸极氧化层上；以及通过一第四离子植入步骤形成一第二离子植入区于该浮动闸极下方两边的该半导体底材中的部分该第一离子植入区中，以作为一源极/汲极区。