| 发明名称 |
METHOD AND APPARATUS FOR HEAT TREATING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER, SILICON MONOCRYSTALLINE WAFER AND ITS MANUFACTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH1074771(A) |
申请公布日期 |
1998.03.17 |
| 申请号 |
JP19970185923 |
申请日期 |
1997.06.25 |
| 申请人 |
SUMITOMO SITIX CORP |
发明人 |
ADACHI HISASHI;HISATOMI TAKEHIRO;SANO MASAKAZU |
| 分类号 |
C30B29/06;C30B33/02;H01L21/22;H01L21/322;H01L21/324;(IPC1-7):H01L21/324 |
主分类号 |
C30B29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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