| 主权项 |
1.一种利用打金属导线技术配合聚焦离子束形成 导电路径以将电路之电路讯号引出之方法,其包括 : (a)提供一基材,该基材内包含有复数个电极; (b)选取欲引出讯号之电极; (c)于该基材上藉由聚焦离子束对应所选取之电极 挖开半导体制程各层材料形成接触孔洞以露出该 电极; (d)藉由该聚焦离子束配合喷嘴所喷出之各种气体 分子以沉积各种材质填入该接触孔洞而形成导电 部; 其特征在于: (e)于该导电部上端面再利用聚焦离子束配合喷嘴 所喷出之导电材质气体分子沉积形成表面导电垫 子; (f)于该导电部上端面之导电垫子上利用打线接合 方式连接金属导线形成导电路径,即可达到将所选 取电极之讯号引出的目的。 2.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该基材系为积体电路[IC]。 3.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该聚焦离子束系为镓离子束 [gallium]。 4.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该喷嘴所喷出之气体分子为 含铂[Pt]、钨[W]导电材质之气体。 5.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中可先行于基材接触孔洞内缘 藉由该聚焦离子束配合喷嘴所喷出之绝缘材质气 体分子沉积绝缘部,再于绝缘部内沉积导电材质形 成导电部。 6.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该打线接合方式为超音波接 合。 7.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该打线接合方式为热压接合 。 8.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该打线接合方式为热超音波 接合。 9.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该导电部上端面之导电垫子 与金属导线接合处外可包覆有绝缘材料。 10.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该金属导线可连接该基材另 一电极形成导电部之导电垫子。 11.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该金属导线可向外连接各种 量测机台。 12.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该金属导线可向外连接另一 基材之电极。 13.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该金属导线可向外连接电子 元件。 14.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该金属导线可向外连接积体 电路之金属接点。 15.如申请专利范围第1项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该金属导线可向外连接电路 板之金属接点。 16.如申请专利范围第5项所述之利用打金属导线技 术配合聚焦离子束形成导电路径以将电路之电路 讯号引出之方法,其中该喷嘴所喷出之绝缘材质气 体分子为二氧化矽[SiO2]气体,以能沉积绝缘部。 图式简单说明: 第一图:本发明利用聚焦离子束在基材上挖设接触 孔洞之剖面示意图 第二图:本发明以喷嘴所喷出之气体分子配合聚焦 离子束形成导电部及于导电部上端面形成表面导 电垫子之剖面示意图 第三图:本发明于导电垫子上端面以打线接合方式 连接金属导线之剖面示意图 第四图:本发明于导电垫子与金属导线接合处外包 覆绝缘材料之剖面示意图 第五图:本发明利用金属导线连接基材另一电极形 成导电通路示意图 第六图:本发明利用金属导线连接量测机台示意图 第七图:本发明利用金属导线连接另一基材之电极 示意图 第八图:本发明利用金属导线连接积体电路之金属 接点示意图 第九图:本发明利用金属导线连接电子元件示意图 第十图:本发明利用金属导线连接电路板之金属接 点示意图 第十一图:现有利用聚焦离子束在基材上挖设接触 孔洞之剖面示意图 第十二图:现有以喷嘴所喷出之气体分子配合聚焦 离子束形成导电桥之剖面示意图(一) 第十三图:现有以喷嘴所喷出之气体分子配合聚焦 离子束形成导电桥之剖面示意图(二) 第十四图:现有以喷嘴所喷出之气体分子配合聚焦 离子束形成导电桥之剖面示意图(三) |
