| 主权项 |
1.一种具阶梯形状之光波导结构,其至少包含:一基板;一第一光波导层,其覆盖于一基板上,为一光纤波导;一第二光波导层,其覆盖于该第一光波导层上,为一耦合波导;以及一第三光波导层,其覆盖于该第二光波导层上,为一主动区域。2.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该基板系可为所有掺杂或半绝缘体之半导体上。3.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第一光波导层系可由化合物半导体与其合金半导体所构成。4.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第二光波导层系可由化合物半导体与其合金半导体所构成。5.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第三光波导层系可由所有的化合物半导体与其合金半导体所构成。6.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第一光波导层系可由四族元素半导体与合金半导体所构成。7.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第二光波导层系可由四族元素半导体与合金半导体所构成。8.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第三光波导层系可由四族元素半导体与合金半导体所构成。9.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第一光波导层之形状系以矩形为主。10.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第一光波导层之几何长度大于160微米。11.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第二光波导层系可成长单层以上。12.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第二光波导层之形状以矩形为主。13.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第二光波导层之几何长度系介于20微米至60微米之间。14.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第三光波导层系可替换一具P种类掺杂-未掺杂-N种掺杂结构之光检测器或光调制器。15.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该第三光波导层之吸光材料系为P种类掺杂或未掺杂。16.依申请专利范围第1项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该基板系可为砷化镓、磷化铟、氮化镓、氮化铝、矽或锑化镓。17.依申请专利范围第3项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该化合物半导体系可为砷化镓、磷化铟或氮化镓。18.依申请专利范围第3项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该合金半导体系可为氮化铝镓、氮化铟镓、砷化铟镓、磷砷化铟镓、砷化铟铝、砷镓化铟铝、砷化镓或砷化铝镓。19.依申请专利范围第6项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该四族元素半导体系可为矽。20.依申请专利范围第6项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该合金半导体系可为矽锗。21.依申请专利范围第14项所述之具阶梯形状之光波导结构,其中,该光检测器之后端系可利用成长多层光学反射膜或微影蚀刻之方式制备分布式布拉格反射镜,反射未吸收完全之光能量,并藉此提高效率与频宽之乘积。图式简单说明:第1A图,系本发明之阶梯形状之光波导结构剖面示意图。第1B图,系本发明之阶梯形状之光波导结构另一剖面示意图。第2图,系本发明应用于具分布式布拉格反射镜光检器之结构剖面图。第3图,系本发明之阶梯形状之光波导结构利用光束传递演算法于横向电波模态下模拟光能量分布图。第4图,系本发明之阶梯形状之光波导结构利用光束传递演算法于横向磁波模态下模拟光能量分布图。第5图,系本发明之阶梯形状之光波导结构利用光束传递演算法模拟于不同模态下(TM、TE)不同崩裂位置之光总能量分布图。第6图,系本发明之阶梯形状之光波导结构利用光束传递演算法模拟于不同模态下(TM、TE)不同入射波长之光总能量分布图。第7图,系本发明应用于光检器之结构俯视图。第8图,系习用之非对称式的双层光波导结构俯视图。第9图,系习用之磊晶层折射率对照示意图。第10图,系习用利用光束传递演算法模拟光能量在波导中行进分布图。第11图,系习用之短共平面多模波导结构剖面示意图。第12图,系习用之短共平面多模波导结构利用光束传递演算法于横向电波模态下模拟光能量分布图。第13图,系习用之短共平面多模波导结构利用光束传递演算法于横向磁波模态下模拟光能量分布图。 |
