| 主权项 |
1.一种钇系陶瓷覆盖材,其特征为于基材表面形成 厚度10nm以上、500nm以下之非晶质构造的钇系陶瓷 膜,并于其上形成结晶质的钇系陶瓷膜。 2.如申请专利范围第1项之钇系陶瓷覆盖材,其中, 前述结晶质之钇系陶瓷膜的厚度为50nm以上、10m 以下。 3.如申请专利范围第1或2项之钇系陶瓷覆盖材,其 中,于前述非晶质构造之钇系陶瓷膜、与前述结晶 质之钇系陶瓷膜之间,由下层侧依序形成结晶性增 大的结晶性倾斜层。 4.一种钇系陶瓷覆盖材之制造方法,其特征为具备: 于基材表面涂布钇系MOD涂布剂,施以热处理,形成 非晶质构造之钇系陶瓷膜的第一步骤;和 于前述非晶质构造之钇系陶瓷膜上,进一步涂布钇 系MOD涂布剂,并在比上述热处理温度更高温下施行 热处理,形成更高结晶性之钇系陶瓷膜的第二步骤 。 5.如申请专利范围第4项之钇系陶瓷覆盖材之制造 方法,其中,经由重复前述第二步骤形成多数膜,且 各膜之形成步骤中的热处理以比正下层更高温下 进行,则可于前述非晶质构造之钇系陶瓷膜、与最 上层之结晶质之钇系陶瓷膜之间,形成结晶性倾斜 层。 6.一种钇系陶瓷覆盖材,其特征为于基材表面形成 类钻碳膜,并于其上形成钇系陶瓷膜。 7.如申请专利范围第6项之钇系陶瓷覆盖材,其中, 前述类钻碳膜的厚度为10nm以上、500nm以下,前述钇 系陶瓷膜的厚度为50nm以上、20m以下。 8.如申请专利范围第6或7项之钇系陶瓷覆盖材,其 中,前述类钻碳膜为随着接近前述钇系陶瓷膜而令 sp3键结增加的倾斜构造。 9.一种钇系陶瓷覆盖材,其特征为于基材表面形成 类钻碳与钇系陶瓷的组成倾斜膜,且最上层为钇系 陶瓷膜。 10.一种钇系陶瓷覆盖材,其特征为于基材表面令类 钻碳膜及钇系陶瓷膜为交互形成复数层。 11.如申请专利范围第6、7、9及10项中任一项之钇 系陶瓷覆盖材,其中,前述钇系陶瓷膜为依序层合 厚度10nm以上、500nm以下之非晶质构造的膜、与结 晶质的膜者。 12.如申请专利范围第11项之钇系陶瓷覆盖材,其中, 前述结晶质之钇系陶瓷膜的厚度为50nm以上、10m 以下。 13.如申请专利范围第11项之钇系陶瓷覆盖材,其中, 于前述非晶质构造之钇系陶瓷膜、与前述结晶质 之钇系陶瓷膜之间,由下层侧依序形成结晶性增大 的结晶性倾斜层。 14.如申请专利范围第6、7、9及10项中任一项之钇 系陶瓷覆盖材,其中,前述基材为由SiO2、Al2O3、SiC 、YAG、Y2O3中之任一种透光性材料所构成。 15.一种钇系陶瓷覆盖材之制造方法,其特征为具备 于基材表面上令类钻碳膜,一边由200℃以上、400℃ 以下之温度升温至250℃以上、800℃以下之温度为 止,一边藉由电浆CVD法形成的步骤,和于前述类钻 碳膜上根据MOD法形成钇系陶瓷膜的步骤。 16.一种钇系陶瓷覆盖材之制造方法,其特征为具备 于基材表面形成类钻碳与钇系陶瓷之组成倾斜膜 的步骤,和于前述组成倾斜膜上藉由MOD法形成钇系 陶瓷膜的步骤; 于前述组成倾斜膜之形成步骤中,令以电浆CVD法所 形成的类钻碳膜、与以MOD法所形成的钇系陶瓷膜, 交互地以最上层为钇系陶瓷膜,且愈上层之钇系陶 瓷膜为比类钻碳膜愈厚之方式令厚度变化,层合数 层后,施行热处理。 17.如申请专利范围第16项之钇系陶瓷覆盖材之制 造方法,其中,于前述组成倾斜膜之形成步骤中,形 成碳系高分子膜来代替以电浆CVD法形成类钻碳膜 。 18.一种钇系陶瓷覆盖材之制造方法,其特征为具备 :对基材表面将碳予以离子注入的步骤;于前述基 材表面藉由电浆CVD法形成类钻碳膜的步骤;于前述 类钻碳膜表面将钇系化合物予以离子注入的步骤; 和于前述类钻碳膜上藉由MOD法形成钇系陶瓷膜的 步骤。 19.如申请专利范围第15至18项中任一项之钇系陶瓷 覆盖材之制造方法,其中,前述钇系陶瓷膜形成步 骤为具备:涂布钇系MOD涂布剂,施行热处理,形成非 晶质构造之钇系陶瓷膜的第一步骤;和 于前述非晶质构造之钇系陶瓷膜上,进一步涂布钇 系MOD涂布剂,并在比前述热处理温度更高温下施行 热处理,形成更高结晶性之钇系陶瓷膜的第二步骤 。 20.如申请专利范围第19项之钇系陶瓷覆盖材之制 造方法,其中,经由重复前述第二步骤形成复数膜, 且各膜之形成步骤中的热处理以比正下层更高温 下进行,藉此于前述非晶质构造之钇系陶瓷膜、与 最上层之结晶质之钇系陶瓷膜之间,形成结晶性倾 斜层。 21.一种钇系陶瓷覆盖材之制造方法,其特征为于如 申请专利范围第15至18项中任一项之钇系陶瓷覆盖 材之制造方法中,于前述钇系陶瓷膜形成步骤后, 经过以升降温速度0.5℃/min.以上、5℃/min.以下升 降温至200℃以上、1250℃以下之温度为止的热处理 步骤。 |
