非易失性半导体存储器及其制造方法

摘要

一种能制造紧凑的非易失性半导体存储器的制造方法。在此制造方法中,依次进行以下步骤。在氧化区形成步骤中,在半导体衬底中平行地形成多个氧化区。在字线形成步骤中,在形成有多个氧化区的半导体衬底上平行地形成与多个氧化区垂直的多条字线。在蚀刻步骤中,对位于其中放置源极区的两条相邻字线的字线对之间的氧化物进行蚀刻,从而从多个氧化区中产生场区。在源极区形成步骤中,通过把杂质掺入半导体衬底来在字线对之间的区域内形成起源极区和源线作用的源极区。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器，其特征在于包括：其中形成场区的半导体衬底；在半导体衬底上平行形成的多条字线；以及与多条字线中若干对两条相邻字线自对准形成的源线区，每个源线区起源极区和源线的作用。