半导体积体电路装置

摘要

一种作为形成在半导体支撑基材上之ESD输入/输出保护元件的保护NMOS电晶体，N型保护电晶体的汲极区系被形成以包围住源极区，及源极与汲极间之最小距离系被保持不变，这可以确保足够之ESD崩溃强度并实现能保护输入/输出端之结构，特别是容易被ESD杂讯损坏之全空乏SOI CMOS装置的输出端。