发明名称 | 修复半导体存储器器件中缺陷的方法和电路 | ||
摘要 | 本发明涉及修复半导体存储器器件中缺陷的方法和电路。电路包括与若干电保险丝并联的充电节点;输出有缺陷地址的存储信号的装置;根据存储信号向充电节点提供电流的装置;根据充电节点的逻辑电平输出冗余块驱动信号以便替换有缺陷地址的冗余传感放大器;以及控制器,用于对从所述存储器器件外部提供的地址信号解码,于是在被选择的保险丝中形成一个电流通路,保险丝被从充电节点提供的电流烧断,控制器由有缺陷地址的存储信号驱动。 | ||
申请公布号 | CN1037721C | 申请公布日期 | 1998.03.11 |
申请号 | CN95103348.4 | 申请日期 | 1995.04.11 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李城秀;金镇棋 |
分类号 | G11C11/407;G11C11/40 | 主分类号 | G11C11/407 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 董江雄;萧掬昌 |
主权项 | 1.一种半导体存储器器件的有缺陷地址存储电路,包括多个并联连接的充电节点,各充电节点连接到多个电保险丝,其特征在于它还包括:根据外部控制信号输出有缺陷地址的存储信号的装置;根据所述有缺陷地址的存储信号向所述充电节点中选出的一个充电节点提供输入电流的电流源;连接到每一个所述充电节点的冗余传感放大器,用以输出冗余块驱动信号,此信号表示在正常存取操作期间,当连接到其上的所述充电节点处在预定逻辑电平时,必须替换有缺陷的地址;以及控制电路,用以对外部产生的地址信号解码,并顺序产生多个所选择的保险丝的多个电流通路,以便每次在从所述选择出的一个充电节点提供电流时,只有一个保险丝被烧断,所述控制电路由所述有缺陷地址信号驱动。 | ||
地址 | 韩国京畿道水原市 |