| 发明名称 | 磊晶基板及液相磊晶生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磊晶基板，是通过液相磊晶生长方法在基板上层积磊晶层而成的磊晶基板，其层积在上述基板上的磊晶层中的碳浓度轮廓，与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的碳浓度的±50％的浓度轮廓交叉。由此，可以提供一种磊晶基板及液相磊晶生长方法，该磊晶基板具有被调整后的任意的碳浓度轮廓，而不是通过治具的自动掺杂所产生的固定的碳浓度轮廓。 | ||
| 申请公布号 | CN101118940A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200710139910.8 | 申请日期 | 2007.08.03 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 樋口晋;川崎真 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L21/208(2006.01);H01L21/22(2006.01);C30B29/00(2006.01);C30B19/00(2006.01);C30B31/08(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫 |
| 主权项 | 1.一种磊晶基板，是通过液相磊晶生长方法在基板上层积磊晶层而成的磊晶基板，其特征在于：层积在上述基板上的磊晶层中的碳浓度轮廓，与基于由碳制成的用以保持溶剂的治具供给而得到的碳浓度的±50％的浓度轮廓交叉。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||