发明名称 PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE A HAUTE TEMPERATURE
摘要 L'invention concerne un procédé de transfert d'une couche (4) d'un substrat donneur (1) sur un substrat receveur (6) comprenant:a) une étape (S2) d'implantation ionique d'au moins une espèce dans le substrat donneur (1) destinée à former une couche de microcavités ou platelets,b) une étape (S3) de collage de la face (7) du substrat donneur (1) avec une face (8) du substrat receveur (6) par adhésion moléculaire,c) une étape de détachement à haute température pour détacher la couche (4) en contact avec le substrat receveur (6) par clivage au niveau de la couche de microcavités ou platelets formée dans le substrat donneur (1).Le procédé comprend en outre, une étape de traitement (S1) du substrat donneur (1) pour piéger les atomes de l'espèce implantée lors de l'étape a) jusqu'à une température de libération atteinte lors de l'étape c) de manière à bloquer ou limiter la formation des microcavités ou platelets en dessous de la température de libération.
申请公布号 FR2905801(A1) 申请公布日期 2008.03.14
申请号 FR20060053685 申请日期 2006.09.12
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES SOCIETE ANONYME 发明人 HEBRAS XAVIER
分类号 H01L21/762;H01L21/265;H01L21/324 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
地址