| 发明名称 |
SILICON SEMICONDUCTOR DIODE CHIP HAVING FULL-OPEN P-N JUNCTION SUBJECTED TO PASSIVATION WITH GLASS, AND FABRICATION THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH1070288(A) |
申请公布日期 |
1998.03.10 |
| 申请号 |
JP19960211940 |
申请日期 |
1996.07.23 |
| 申请人 |
ZOWIE TECHNOL CORP |
发明人 |
CHIYAO SHIN TAI;A PON JOHN;HIYUEI JIENGU CHIYUSAI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/316;H01L21/329;H01L21/56;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/861 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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