有机金属气相沈积装置

摘要

本发明之有机金属气相沈积装置(1)系用以使用反应气体(G)于基板(20)上进行成膜之有机金属气相沈积装置,且包括:晶座(5),其对基板(20)进行加热,且具有用以载置基板(20)之载置面;及通路(11),其用以向基板(20)导入反应气体(G)。晶座(5)可以于载置面面向通路(11)内部之状态下旋转,且沿着反应气体(G)流动方向之通路(11)的高度自位置(A3)至位置(S)为固定,自位置(S)向下游侧为单调递减。藉此,可使所成膜之膜厚度均匀且提高成膜效率。