具有具降低之保形性的受应力之接触蚀刻停止层的场效电晶体

摘要

藉由形成高度非保形受应力覆盖层(overlayer),譬如接触蚀刻停止层,可明显地增加应力转移入场效电晶体之个别通道区域中之效率。例如,非保形PECVD技术可用来以非保形方式形成高度受应力之氮化矽,由此对于其他方面相同之应力状况达成较高电晶体效能。