矽晶圆之热处理方法

摘要

本发明提供一种矽晶圆之热处理方法,其系于矽晶圆的RTP处理,抑制滑移位错之热处理方法,为防止至少在矽晶圆与急速加热装置之支持部接触之部位及矽晶圆之最外周部之任一部位,在于急速加热过程产生滑移位错,于超过700℃未满950℃之范围之温度范围,设停止升温10秒以上之步骤。