| 发明名称 |
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR CONTAINING N-TYPE IMPURITY LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH1064840(A) |
申请公布日期 |
1998.03.06 |
| 申请号 |
JP19960241381 |
申请日期 |
1996.08.23 |
| 申请人 |
TOYOTA CENTRAL RES & DEV LAB INC |
发明人 |
ITO TADASHI;MOTOI ICHIRO;FUKUMOTO ATSUTOSHI;HIOKI TATSUMI;NODA MASAHARU |
| 分类号 |
H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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