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发明名称 GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR MULTILAYER STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR100831956(B1) 申请公布日期 2008.05.23
申请号 KR20067016338 申请日期 2006.08.14
申请人 发明人
分类号 H01L33/00;H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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