使用特定前驱物之金属奈米点之成长

摘要

本发明提供一种以两步法形成金属奈米点之技术，其包括：(1)使含矽气体前躯物(例如矽烷)反应以于介电薄膜层上形成矽核；及(2)使用金属前躯物以形成金属奈米点，其中该等金属奈米点使用步骤(1)中之矽核作为成核点。因此，初始矽核为后期金属封装步骤之核心材料。金属奈米点系应用于诸如快闪记忆体电晶体之装置中。