PONT REDRESSEUR PROTEGE MONOLITHIQUE

摘要

L'invention concerne une structure semi-conductrice constituant un pont redresseur protégé réalisé dans un substrat semi-conducteur (1) de type N divisé en trois caissons par des murs d'isolement verticaux (30, 31) de type P, dans laquelle la face arrière du substrat est revêtue d'une première métallisation (T-) et dans laquelle chacun des premier et deuxième caissons comporte une diode verticale (D2) et une diode de Shockley verticale (S2). Le troisième caisson comporte une couche P d'isolement (61) du côté de sa face arrière en contact avec la première métallisation et, du côté de sa face avant, deux diodes latérales dont chacune est formée entre une région P (52) et le substrat.