| 摘要 |
<p>Verfahren zur selektiven Ausbildung von Kontaktmetallisierungen ((10) auf Anschlußflächen (11) eines Substrats (12), bei dem die Oberfläche des Substrats mit einer Schablone (14) belegt wird, derart, daß Depoträume (15) Schablonenöffnungen (13) uber den Anschlußflächen angeordnet sind, und bei dem die Depoträume mit einem Lotmaterial (17) befüllt werden, und ein Aufschmelzen des Lotmaterials zur Ausbildung der Kontaktmetallisierungen in den zumindest in Kontaktbereichen mit dem Lotmaterial nicht benetzungsfähigen Depoträumen erfolgt.</p> |
