| 摘要 |
<p>Bei einer Plasma-CVD-Anlage (besonders PICVD-Anlage) mit einem Array von Mikrowellen-Plasmaelektroden (2a, b, c, d) wird die Homogenität der Schicht verbessert, indem durch zeitlich versetzte Ansteuerung benachbarer Plasmaelektroden (2a, 2b; 2b, 2c; 2c, 2d) Interferenzen vermieden werden. Dazu sind Mikroimpulse (A, B) innerhalb der Makroimpulse des PICVD-Verfahrens vorgesehen. Zusätzlich kann die Uniformität der Schichtabscheidung an den Nahtstellen zwischen benachbarten Modulen durch Radiofrequenz-Anregung mit geeigneten Elektroden (6, 62a-c) sowie durch Magnetfelder oder die Ausgestaltung der Gaseinlässe (5) optimiert werden. Die in einem Arbeitsgang beschichtbare Fläche ist damit beliebig skalierbar.</p> |
