| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer CIS-Bandsolarzelle und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren und die dafür notwendige anlagentechnische Lösung sowie den erforderlichen Schichtaufbau zu beschreiben, mit der eine ökonomische Herstellung haftfester CIS-Solarzellen auf Kupferbändern möglich ist. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß in einem ersten Schritt das vorgereinigte Kupferband kontinuierlich einseitig galvanisch mit Indium beschichtet, in einem zweiten Schritt das mit Indium beschichtete Kupferband im Kontaktverfahren mit einem beheizten Graphitkörper kontinuierlich sehr schnell aufgeheizt und einseitig in einem schmalen Spalt mit erhitztem schwefel- oder selendhaltigem Trägergas in Kontakt gebracht, in einem dritten Schritt selektiv die entstandene Deckschicht aus Kupfersulfid oder -selenid ätztechnisch entfernt und in einem vierten Schritt die Oberfläche der CIS-Schicht mit einer p+-leitenden transparenten Kollektor- bzw. Anpaßschicht aus Kupferoxid/sulfid versehen wird. Gegenstand der Erfindung ist ferner die Entwicklung eines Reaktors zur Durchführung des Verfahrens. Dieser besteht aus einem an der Spaltoberfläche konvex gewölbten Bandheizer aus Graphit, einem an der Spaltoberfläche konkav gewölbten Gasheizer ebenfalls aus Graphit und Quarzglasplatten, die den zwischen Bandheizer und Gasheizer eingestellten Spalt nach außen abdichten. Bandheizer und Gasheizer können über thermisch schnelle Strahlungsheizer von innen oder von außen separat auf die notwendigen Prozeßtemperaturen aufgeheizt werden.</p> |
