| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，包含：半导体衬底；n型杯状结构，自该半导体衬底的上表面延伸至该半导体衬底中，其中该n型杯状结构包含底部其埋藏于该半导体衬底中；p型埋藏层，其位于该n型杯状结构的该底部上，其中该p型埋藏层埋藏于该半导体衬底中；以及高压n型金属氧化物半导体元件，其位于该p型埋藏层上，且位于由该n型杯状结构的侧边所围绕的区域中。借助本发明，易于增加n型与p型埋藏层的杂质浓度，能够施加正的和负的两种源极/漏极至衬底电压而不会有显著的漏电流和/或击穿。 | ||
| 申请公布号 | CN101339945A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200710180149.2 | 申请日期 | 2007.10.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 魏启珊;吴国铭;林怡君 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包含：半导体衬底；n型杯状结构，其自该半导体衬底的上表面延伸至该半导体衬底中，其中该n型杯状结构包含埋藏于该半导体衬底中的底部；p型埋藏层，其位于该n型杯状结构的该底部上，其中该p型埋藏层埋藏于该半导体衬底中；以及高压n型金属氧化物半导体元件，其位于该p型埋藏层上，且位于由该n型杯状结构的侧边所围绕的区域中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||