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经营范围
发明名称
硅平面工艺中新的磷扩散技术
摘要
本发明革新了硅平面工艺中的磷扩散工艺,它用很低的温度淀积磷源,然后在适当高温下,在氧和氮气氛中对硅片进行氧化,完成杂质的再分布。这样不仅工艺简单、重复性好,而且能形成性能良好的PN结,提高了产品的成品率。
申请公布号
CN1037642C
申请公布日期
1998.03.04
申请号
CN91102309.7
申请日期
1991.04.13
申请人
武汉大学
发明人
陈炳若;何民才
分类号
H01L21/225
主分类号
H01L21/225
代理机构
代理人
主权项
1.一种硅平面工艺中新的磷扩散技术,它包括预淀积和主扩散两个步骤,其特征在于:磷扩散PN结的形成由预淀积后的主扩散完成;预淀积温度低于980℃时间不超过10分钟,主扩散温度高于预淀积温度,时间不少于30分钟。
地址
430072湖北省武汉市武昌珞珈山
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