| 发明名称 | 绝缘栅场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 两侧各被一个沟槽隔离的FET,在隔离沟槽中沿着FET的至少一侧有一电介质。电介质层可以是一层ONO,中间扩散了氧化催化剂。氧化催化剂可以是钾。FET沿着贴近OMO层侧的栅氧化层比两侧之间的栅氧化层厚。 | ||
| 申请公布号 | CN1175094A | 申请公布日期 | 1998.03.04 |
| 申请号 | CN97113531.2 | 申请日期 | 1997.06.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;西门子公司 | 发明人 | 曼弗雷德·豪夫;马克思·G·莱维;维克托·R·纳斯塔西 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/105 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 范本国 |
| 主权项 | 1.一种在半导体衬底上，并且在两侧各有隔离沟槽的场效应晶体管(FET)，所述FET包括：在所述隔沟槽中沿着所述FET的每一所述侧面的电介质层；所述电介质层中包括氧化催化剂；以及所述每一FET沿着侧边的栅氧化层比所述侧边之间的栅氧化层厚。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||