| 发明名称 | 具有超浅端区的新型晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 具有超浅端区(214)的新型晶体管(200)及其制造方法。本发明的新型晶体管有一个源/漏扩展或端区(210),该源/漏扩展或端区包括延伸到栅电极和突起的区域(216)下的超浅区(214)。 | ||
| 申请公布号 | CN1175321A | 申请公布日期 | 1998.03.04 |
| 申请号 | CN95197621.4 | 申请日期 | 1995.12.21 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·S·曹;C·H·彻恩;C·H·雅;K·R·维尔顿;P·A·佩卡恩;L·D·尧 |
| 分类号 | H01L21/44;H01L21/265;H01L21/465;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/76 | 主分类号 | H01L21/44 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;傅康 |
| 主权项 | 1.一种形成晶体管的方法，包括以下步骤：在半导体衬底的第一表面上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅电极；邻接所述栅电极的相对侧形成第一对侧壁间隔层；在所述第一表面下的所述半导体衬底中形成一对凹槽，与所述第一对侧壁间隔层的外边缘对准；及在所述凹槽对中形成第一半导体材料 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||