半导体基片的制作方法

摘要

本发明是关于多孔硅腐蚀液,使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法,其优点在于,提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液,该腐蚀液可以是氢氟酸;制作半导体基片的制造方法包括如下工序:形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底,将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上,用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。

主权项

1.一种制备半导体基片的方法，包括下列步骤：提供一具有一多孔单晶硅层和一非多孔单晶硅层的第一衬底；将第一衬底粘结到一第二衬底上，其间夹有一绝缘层，粘结时把非多孔单晶硅层置于要制备的多层结构的内侧；以及用一腐蚀液腐蚀多孔单晶硅层，该腐蚀液由一包括氢氟酸以及醇和双氧水中的至少一种的溶液构成，或由一包括缓冲氢氟酸以及醇和双氧水中至少一种的溶液构成，以从所述多层结构上除去所述多孔单晶硅层。