| 主权项 |
1.一种形成具有斜度及圆滑角落之沟渠于一矽晶片上之蚀刻方法,其中上述之矽晶片有一半导体之底材,一氧化层形成于该半导体之底材,及一氮化层形成于该氧化层,该方法包含:定义该氧化层及该氮化层之图案;根据氧化层与氮化层之图案而第一蚀刻该底材,其中该第一蚀刻操作于一第一组制程参数;第二蚀刻该底材,其中该第二蚀刻操作于一第二组制程参数,其中第二组制程参数之射频参数低于该第一组制程参数之射频参数并且第二组制程参数之制程压力参数高于该第一组制程参数之制程压力参数;以及第三蚀刻该底材,其中该第三蚀刻操作于一第三组制程参数,其第三组制程参数之射频参数低于该第二组制程参数之射频参数并且第三组制程参数之制程压力参数高于该第二组制程参数之制程压力参数。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中除去上述之氧化层及上述之氮化层至少包含使用一电浆蚀刻制程。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含使用CHF3.CF4.Ar、及O2气体。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一蚀刻至少包含使用一电浆蚀刻制程。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含使用HBr、CF4.Cl2.及HeO2气体。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之HBr比上Cl2之气流量比约在4至6范围之间。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一组之制程参数有一射频参数约为800W。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第一组之制程参数有一制程压力参数约为50mT。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之第二蚀刻至少包含使用一电浆蚀刻制程。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含使用HBr、CF4.Cl2.及HeO2气体。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之HBr比上Cl2之气流量比约在4至6范围之间。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含有一射频参数约为720W至680W。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含有一制程压力参数约为70mT至90mT。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含使用一电浆蚀刻制程。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含使用HBr、CF4.Cl2.及HeO2气体。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之HBr比上Cl2之气流量比约在4至6范围之间。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含有一射频参数约为640W至664W。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻制程至少包含有一制程压力参数约为90mT至110mT。19.一种形成具有斜度及圆滑角落之沟渠于一矽晶片上之蚀刻方法,其中上述之矽晶片有一半导体之底材,一氧化层形成于该半导体之底材,及一氮化层形成于该氧化层,该方法包含:定义该氧化层及该氮化层之图案;根据氧化层与氮化层之图案而第一蚀刻该底材,其中该第一蚀刻操作于一组程参数;第二蚀刻该底材,其中该第二蚀刻操作于射频参数低于该组制制程参数之射频参数约10%并且制程压力参数高于该组制程参数之制程压力参数约60%;以及第三蚀刻该底材,其中该第三蚀刻操作于射频参数低于该组制制程参数之射频参数约20%并且制程压力参数高于该组制程参数之制程压力参数约100%。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之第一蚀刻至少包含使用一电浆蚀刻制程。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之第一蚀刻至少包含使用HBr、CF4.Cl2.及HeO2气体。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中上述之HBr比上Cl2之气流量比约在4至6范围之间。23.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之第一组之射频参数有一射频参数约为800W。24.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之第一组之制程参数有一制程压力参数约为50mT。25.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之第二蚀刻制程至少包含操作于一射频参数约为720W至680W。26.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之第二蚀刻制程至少包含操作于一制程压力参数约为70mT至90mT。27.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之第三蚀刻制程至少包含操作于一射频参数约为640W至664W。28.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之第二蚀刻制程至少包含操作于一制程压力参数约为90mT至110mT。图示简单说明:第一图至第三图所示为传统方法形成浅沟渠各个阶段之矽晶片剖面图。第四图至第六图所示为本发明方法形成浅沟渠各个阶段之矽晶片剖面图。 |
