| 发明名称 | ｐ型金属氧化物半导体材料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 明一实施例提供一种p型金属氧化物半导体材料，具有化学式：In(1-a)Ga(1-b)Zn(1+a+b)O4 | ||
| 申请公布号 | TWI534089 | 申请公布日期 | 2016.05.21 |
| 申请号 | TW103144441 | 申请日期 | 2014.12.19 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 邱显浩;周子琪;黄琼慧;谢玉慈 |
| 分类号 | C01G9/00(2006.01);C01G15/00(2006.01) | 主分类号 | C01G9/00(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
| 主权项 | 一种p型金属氧化物半导体材料，具有化学式：In(1-a)Ga(1-b)Zn(1+a+b)O4其中0≦a≦0.1、0≦b≦0.1、以及0<a+b≦0.16，且该p型金属氧化物半导体材料具有一电洞载子浓度介于1×1011cm-3至5×1018cm-3之间。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||