SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH FOREIGN ATOMS INTRODUCED BY ION IMPLANTATION AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit durch Implantation eingebrachten Fremdatomen, welche durch einen Ausheilprozess elektrisch aktiviert werden, wobei das Bauelement unmittelbar nach dem Ausheilprozess eine mittlere Oberflächenrauhigkeit von weniger als 15 nm aufweist und mindestens 10 % der implantierten Fremdatome elektrisch aktiviert sind.