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发明名称 Herstellungsverfahren eines Kondensatorelementes für ein DRAM
摘要
申请公布号 DE69220725(T2) 申请公布日期 1998.02.26
申请号 DE19926020725T 申请日期 1992.04.03
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 TAKEUCHI, KIYOSHI, MINATO-KU, TOKYO, JP
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
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